SI3473DDV-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI3473DDV-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI3473DDV-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12965577
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI3473DDV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1975 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3473

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3473DDV-T1-GE3CT
SI3473DDV-T1-GE3TR
SI3473DDV-T1-GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJA3409_R1_00001

SOT-23, MOSFET

infineon-technologies

ISC0703NLSATMA1

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8

taiwan-semiconductor

TSM260P02CX RFG

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO

vishay-siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8