SI3529DV-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI3529DV-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI3529DV-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12915565
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI3529DV-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
205pF @ 20V
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
SI3529

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI4808DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

littelfuse

MMIX2F60N50P3

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD