Número de Producto del Fabricante:
SI3590DV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3590DV-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
16983 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918065
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ENVIAR
SI3590DV-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A, 1.7A
rds activados (máx.) @ id, vgs
77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
830mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
SI3590
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3590DV-T1-E3CT
SI3590DV-T1-E3TR
SI3590DV-T1-E3DKR
SI3590DVT1E3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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