Número de Producto del Fabricante:
SI3851DV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3851DV-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12912752
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ENVIAR
SI3851DV-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3851
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3851DV-T1-E3TR
SI3851DVT1E3
SI3851DV-T1-E3CT
SI3851DV-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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