Número de Producto del Fabricante:
SI3900DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3900DV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
4536 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917750
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ENVIAR
SI3900DV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
830mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
SI3900
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3900DVT1GE3
SI3900DV-T1-GE3CT
SI3900DV-T1-GE3DKR
SI3900DV-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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