Número de Producto del Fabricante:
SI3981DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3981DV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 1.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12920399
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI3981DV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
185mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
800mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
SI3981
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3993CDV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
50318
NÚMERO DE PIEZA
SI3993CDV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDC6306P
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4981
NÚMERO DE PIEZA
FDC6306P-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQ3985EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SI3951DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6TSOP
SI7983DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
