Número de Producto del Fabricante:
SI4108DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4108DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12914377
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ENVIAR
SI4108DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.5A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 38 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4108
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMT6010LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
5713
NÚMERO DE PIEZA
DMT6010LSS-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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