Número de Producto del Fabricante:
SI4114DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4114DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
157034 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914768
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4114DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4114
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4114DY-T1-GE3TR
SI4114DYT1GE3
SI4114DY-T1-GE3CT
SI4114DY-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFU014
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
IXTA90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO263
SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
