SI4421DY-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI4421DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI4421DY-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

15807 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913602
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI4421DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.75mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 850µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
125 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4421

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4421DY-T1-GE3TR
SI4421DY-T1-GE3DKR
SI4421DY-T1-GE3-DG
SI4421DY-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRFR010TRL

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay-siliconix

IRFU4105ZTRR

MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

vishay-siliconix

IRL540STRR

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

vishay-siliconix

SI8810EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT