Número de Producto del Fabricante:
SI4459ADY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4459ADY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 29A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
119715 Pcs Nuevos Originales En Stock
12959922
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4459ADY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4459
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4459ADY-T1-GE3CT
SI4459ADY-T1-GE3TR
SI4459ADYT1GE3
SI4459ADY-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRLZ24PBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
SI3424DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP
SI1300BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
