Número de Producto del Fabricante:
SI4511DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4511DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12962173
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ENVIAR
SI4511DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.2A, 4.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.1W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4511
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4511DYT1GE3
SI4511DY-T1-GE3CT
SI4511DY-T1-GE3DKR
SI4511DY-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMC2020USD-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMC2020USD-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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