SI4561DY-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI4561DY-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI4561DY-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

12911654
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SI4561DY-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A, 7.2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
640pF @ 20V
Potencia - Máx.
3W, 3.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4561

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TPC8408,LQ(S
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3530
NÚMERO DE PIEZA
TPC8408,LQ(S-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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