Número de Producto del Fabricante:
SI4776DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4776DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11.9A (Tc) 4.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12914605
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4776DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
SkyFET®, TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
521 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4776
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4776DY-T1-GE3TR
SI4776DY-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMS3015SSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
44403
NÚMERO DE PIEZA
DMS3015SSS-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
IRFRC20TRL
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
BUK7Y15-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
