Número de Producto del Fabricante:
SI4925BDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4925BDY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913429
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4925BDY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4925
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4925BDY-T1-GE3-DG
742-SI4925BDY-T1-GE3TR
742-SI4925BDY-T1-GE3DKR
742-SI4925BDY-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI1922EDH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
SI4947ADY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
SI4670DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC