Número de Producto del Fabricante:
SI5404BDC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5404BDC-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 5.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916719
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI5404BDC-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
SI5404
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5404BDC-T1-E3DKR
SI5404BDC-T1-E3TR
SI5404BDCT1E3
SI5404BDC-T1-E3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI7495DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
SUM40N02-12P-E3
MOSFET N-CH 20V 40A TO263
SI4322DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO