Número de Producto del Fabricante:
SI5511DC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5511DC-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12913085
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ENVIAR
SI5511DC-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A, 3.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435pF @ 15V
Potencia - Máx.
3.1W, 2.6W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Número de producto base
SI5511
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5511DC-T1-E3TR
SI5511DC-T1-E3CT
SI5511DCT1E3
SI5511DC-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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