Número de Producto del Fabricante:
SI5857DU-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5857DU-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventario:
12912441
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI5857DU-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paquete / Caja
PowerPAK® ChipFET™ Single
Número de producto base
SI5857
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
SI7374DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
