Número de Producto del Fabricante:
SI5913DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5913DC-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12914282
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ENVIAR
SI5913DC-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
84mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
SI5913
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5913DC-T1-GE3CT
SI5913DCT1GE3
SI5913DC-T1-GE3DKR
SI5913DC-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTHD3101FT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
NTHD3101FT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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