Número de Producto del Fabricante:
SI6463BDQ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI6463BDQ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
12915869
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ENVIAR
SI6463BDQ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 5 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
SI6463
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI6463BDQ-T1-GE3DKR
SI6463BDQ-T1-GE3CT
Q8873440
Q8873440A
SI6463BDQT1GE3
SI6463BDQ-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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