Número de Producto del Fabricante:
SI7111EDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7111EDN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
11694 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914180
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7111EDN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.55mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5860 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7111
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7111EDN-T1-GE3DKR
SI7111EDN-T1-GE3TR
SI7111EDN-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFX48N60P
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
SI8435DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
IRFL210
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
