Número de Producto del Fabricante:
SI7370ADP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7370ADP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12912414
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7370ADP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7370
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RJK0658DPA-00#J5A
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
6000
NÚMERO DE PIEZA
RJK0658DPA-00#J5A-DG
PRECIO UNITARIO
0.87
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SI2315BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
IRFI9520GPBF
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3