Número de Producto del Fabricante:
SI7430DP-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7430DP-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
368 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913548
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7430DP-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7430
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7430DP-T1-E3TR
SI7430DPT1E3
SI7430DP-T1-E3DKR
SI7430DP-T1-E3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI7430DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
6014
NÚMERO DE PIEZA
SI7430DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI4626ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
SI4426DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
