Número de Producto del Fabricante:
SI7888DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7888DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12959873
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ENVIAR
SI7888DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7888
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD17327Q5A
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
CSD17327Q5A-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RS1E130GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1178
NÚMERO DE PIEZA
RS1E130GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIR172ADP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2689
NÚMERO DE PIEZA
SIR172ADP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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