SI7960DP-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI7960DP-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI7960DP-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventario:

12913526
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI7960DP-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SI7960

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7960DP-T1-E3CT
SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DP-T1-E3DKR
SI7960DPT1E3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SI7252DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SI7252DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC

vishay-siliconix

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

vishay-siliconix

SI7216DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI4288DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC