SI8402DB-T1-E1
Número de Producto del Fabricante:

SI8402DB-T1-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI8402DB-T1-E1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 5.3A (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Inventario:

12915451
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI8402DB-T1-E1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
37mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 4.5 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-XFBGA, CSPBGA
Número de producto base
SI8402

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8402DBT1E1
SI8402DB-T1-E1CT
SI8402DB-T1-E1DKR
SI8402DB-T1-E1TR
Q6782334

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SI8406DB-T2-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5466
NÚMERO DE PIEZA
SI8406DB-T2-E1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4890DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

vishay-siliconix

SI5461EDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8

vishay-siliconix

SI1032R-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A