SI8472DB-T2-E1
Número de Producto del Fabricante:

SI8472DB-T2-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI8472DB-T2-E1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1x1)

Inventario:

12928 Pcs Nuevos Originales En Stock
12919922
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI8472DB-T2-E1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
44mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
780mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-MICRO FOOT® (1x1)
Paquete / Caja
4-UFBGA
Número de producto base
SI8472

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8472DB-T2-E1TR
SI8472DB-T2-E1-DG
SI8472DB-T2-E1CT
SI8472DB-T2-E1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI7120DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

vishay-siliconix

SIE822DF-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SI9410BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO