SIA811DJ-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SIA811DJ-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIA811DJ-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventario:

12916062
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SIA811DJ-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
355 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base
SIA811

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA811DJT1E3
SIA811DJ-T1-E3DKR
SIA811DJ-T1-E3CT
SIA811DJ-T1-E3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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