SIDR402DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIDR402DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIDR402DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Inventario:

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SIDR402DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9100 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIDR402

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SIDR402DP-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SIDR402DP-T1-GE3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIDR402DP-T1-GE3CT
SIDR402DP-T1-GE3DKR
SIDR402DP-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SIDR402DP-T1-RE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
14282
NÚMERO DE PIEZA
SIDR402DP-T1-RE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.90
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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