Número de Producto del Fabricante:
SIHA12N50E-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHA12N50E-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918274
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHA12N50E-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
886 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SIHA12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4404DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
