SIHA21N60EF-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHA21N60EF-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHA21N60EF-GE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 600V
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventario:

2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977818
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SIHA21N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SIHA21N60EF

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHA21N60EF-GE3CT-DG
742-SIHA21N60EF-GE3CT
742-SIHA21N60EF-GE3CTINACTIVE

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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