Número de Producto del Fabricante:
SIHB18N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHB18N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12787122
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHB18N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB18
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTA24N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
IXTA24N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
2.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB21N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1748
NÚMERO DE PIEZA
STB21N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
250
NÚMERO DE PIEZA
IXFA22N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
2.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB28N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STB28N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
1.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB60R165CPATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3135
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R165CPATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHH24N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
SIHG22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
