SIHB24N65ET1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHB24N65ET1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHB24N65ET1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12787602
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SIHB24N65ET1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB24

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SIHB24N65ET1-GE3
Hoja de datos HTML
SIHB24N65ET1-GE3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
250
NÚMERO DE PIEZA
IXFA22N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
2.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK16G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
994
NÚMERO DE PIEZA
TK16G60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
2.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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