Número de Producto del Fabricante:
SIHD240N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHD240N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
3072 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918605
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ENVIAR
SIHD240N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
783 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SIHD240
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIHD240N60E-GE3CT
SIHD240N60E-GE3DKR-DG
SIHD240N60E-GE3CT-DG
SIHD240N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD240N60E-GE3TR-DG
SIHD240N60E-GE3DKR
SIHD240N60E-GE3TRINACTIVE
SIHD240N60E-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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