Número de Producto del Fabricante:
SIHD6N62E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHD6N62E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12786966
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ENVIAR
SIHD6N62E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
578 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SIHD6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
SIHD6N62E-GE3TR
SIHD6N62E-GE3DKRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR
SIHD6N62E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR-DG
SIHD6N62E-GE3TR-DG
SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD9NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
STD9NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
0.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD9N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1200
NÚMERO DE PIEZA
STD9N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD7NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
12347
NÚMERO DE PIEZA
STD7NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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