SIHG039N60EF-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHG039N60EF-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHG039N60EF-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

490 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920552
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SIHG039N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
EF
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4323 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG039

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SIHG039N60EF Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
2266-SIHG039N60EF-GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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