Número de Producto del Fabricante:
SIHG23N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG23N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
12916909
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHG23N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2418 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG23
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFH50N60P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
386
NÚMERO DE PIEZA
IXFH50N60P3-DG
PRECIO UNITARIO
5.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPW60R190E6FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
190
NÚMERO DE PIEZA
IPW60R190E6FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI5486DU-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
