Número de Producto del Fabricante:
SIHG80N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG80N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
12787674
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ENVIAR
SIHG80N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
443 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6900 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW88N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1062
NÚMERO DE PIEZA
STW88N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
11.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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