SIHH080N60E-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHH080N60E-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHH080N60E-T1-GE3-DG

Descripción:

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventario:

3157 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950359
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIHH080N60E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2557 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
184W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR
742-SIHH080N60E-T1-GE3CT
742-SIHH080N60E-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIS176LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIHP080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,