Número de Producto del Fabricante:
SIHK065N60E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHK065N60E-T1-GE3-DG
Descripción:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Inventario:
2050 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973953
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHK065N60E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
68mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2946 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK®10 x 12
Paquete / Caja
8-PowerBSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SIHK065N60E-T1-GE3TR
742-SIHK065N60E-T1-GE3CT
742-SIHK065N60E-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJD25N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MCU18P10-TP
MOSFET P-CH DPAK
