SIHP17N80AEF-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHP17N80AEF-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHP17N80AEF-GE3-DG

Descripción:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

939 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949195
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SIHP17N80AEF-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
EF
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
305mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHP17N80AEF-GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SIHG17N80AEF-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
296
NÚMERO DE PIEZA
SIHG17N80AEF-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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