Número de Producto del Fabricante:
SIHP23N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP23N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
839 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916660
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ENVIAR
SIHP23N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2418 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SIHP23
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHP23N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP23N60E-GE3TR-DG
SIHP23N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP23N60E-GE3DKR
SIHP23N60E-GE3DKR-DG
SIHP23N60E-GE3CT-DG
SIHP23N60E-GE3TR
SIHP23N60E-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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