Número de Producto del Fabricante:
SIR412DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR412DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12919019
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ENVIAR
SIR412DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR412
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR412DPT1GE3
SIR412DP-T1-GE3CT
SIR412DP-T1-GE3DKR
SIR412DP-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD16412Q5A
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
4364
NÚMERO DE PIEZA
CSD16412Q5A-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIRA18ADP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2543
NÚMERO DE PIEZA
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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