Número de Producto del Fabricante:
SIR582DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR582DP-T1-RE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 28.9A (Ta), 116A (Tc) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
1850 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974576
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ENVIAR
SIR582DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28.9A (Ta), 116A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3360 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR582DP-T1-RE3DKR
742-SIR582DP-T1-RE3CT
742-SIR582DP-T1-RE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RS6P100BHTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2725
NÚMERO DE PIEZA
RS6P100BHTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
RS6N120BHTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1763
NÚMERO DE PIEZA
RS6N120BHTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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