Número de Producto del Fabricante:
SIR681DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR681DP-T1-RE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12948263
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ENVIAR
SIR681DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4850 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR681
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR681DP-T1-RE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
QH8KA4TCR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
18377
NÚMERO DE PIEZA
QH8KA4TCR-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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