Número de Producto del Fabricante:
SIR808DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR808DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12917239
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIR808DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
815 pF @ 12.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
29.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR808
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
SI7476DP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SI4778DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO