Número de Producto del Fabricante:
SIR814DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR814DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12787318
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIR814DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR814
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD18502Q5B
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
3810
NÚMERO DE PIEZA
CSD18502Q5B-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
BSC022N04LSATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
18064
NÚMERO DE PIEZA
BSC022N04LSATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIR470DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
6457
NÚMERO DE PIEZA
SIR470DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHL630STRL-GE3
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
SUD40N10-25-T4-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
