SIR836DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIR836DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIR836DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 21A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

12918163
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIR836DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR836

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR836DP-T1-GE3CT
SIR836DPT1GE3
SIR836DP-T1-GE3TR
SIR836DP-T1-GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
RS1E350GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
RS1E350GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
1.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RSH065N06TB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
968
NÚMERO DE PIEZA
RSH065N06TB1-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RS1G150MNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RS1G150MNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RS1G120MNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
18744
NÚMERO DE PIEZA
RS1G120MNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E180GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
4770
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E180GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SUD17N25-165-E3

MOSFET N-CH 250V 17A TO252

vishay-siliconix

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

nexperia

PSMN014-80YLX

MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56

vishay-siliconix

SI6415DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP