SIRA18DP-T1-RE3
Número de Producto del Fabricante:

SIRA18DP-T1-RE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIRA18DP-T1-RE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

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SIRA18DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
14.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRA18

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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