SIRA34DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIRA34DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIRA34DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

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SIRA34DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRA34

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SIRA34DP-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SIRA34DP-T1-GE3-DG
Dibujos de productos
PowerPak SO-8 Drawing

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIRA34DP-T1-GE3DKR
SIRA34DP-T1-GE3CT
SIRA34DP-T1-GE3-DG
SIRA34DP-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SIRA18ADP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2543
NÚMERO DE PIEZA
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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