Número de Producto del Fabricante:

SIRA60DP-T1-RE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIRA60DP-T1-RE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

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12786158

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SIRA60DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

-

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

100A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

0.94mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

125 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIRA60DP-T1-RE3

Hoja de datos HTML

SIRA60DP-T1-RE3-DG

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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